FDB082N15A
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
FDB082N15A datasheet
-
МаркировкаFDB082N15A
-
ПроизводительFairchild Semiconductor
-
ОписаниеFairchild Semiconductor FDB082N15A RoHS: yes Transistor Polarity: N-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 150 V Gate-Source Breakdown Voltage: 20 V Continuous Drain Current: 105 A Resistance Drain-Source RDS (on): 6.7 mOhms Configuration: Single Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: D2PAK Fall Time: 26 ns Forward Transconductance gFS (Max / Min): 139 S Gate Charge Qg: 64.5 nC Power Dissipation: 231 W Rise Time: 58 ns Factory Pack Quantity: 800
-
Количество страниц9 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
31.05.2024
30.05.2024
29.05.2024